CoWoS paketlash tushuntirilishi: CoWoS-S vs. CoWoS-R vs. CoWoS-L, HBM, ishlab chiqarish va AI chiplar
2026-08-03 2308

CoWoS, yoki Chip-on-Wafer-on-Substrate, mantiqiy die'lar, chipletlar va yuqori bandwidth xotirani bir katta paketta ulaydi. Bu hisoblash va xotira o'rtasida tez ma'lumot o'tkazish uchun qisqa, zich ulanishlarni taqdim etadi. CoWoS-S keng maydon bo'ylab zich routlash uchun katta kremniy interposeridan foydalanadi. CoWoS-R to'liq kremniy interposerini ko'p qatlamli RDL bilan almashtiradi, CoWoS-L esa faqat juda nozik ulanishlar talab etilganda RDL routlashni kichik kremniy interkonnektlari bilan birlashtiradi. Har bir versiya routlash zichligi, paket o'lchami, kremniy ishlatilishi, xarajat va ishlab chiqarish murakkabligining turli muvozanatini taklif etadi.

Katalog

CoWoS paketlash nima va u qanday ishlaydi?

CoWoS, yoki Chip-on-Wafer-on-Substrate, bir yoki bir nechta mantiqiy die va yuqori bandwidth xotira (HBM) stacklarini bir xil paket ichida bir-biriga yaqin joylashtiradigan ilg'or paketlash texnologiyasidir. Bu AI aktseleratorlari, yuqori samarali hisoblash protsessorlari, tarmoq chiplar va yuqori xotira bandwidth va tez die-to-die aloqa talab qiladigan boshqa tizimlar uchun keng qo'llaniladi.

Alohida paketlar o'rtasida uzoq PCB izlari orqali signallarni yuborish o'rniga, CoWoS mantiqiy die va HBM o'rtasida zich elektr ulanishlarni yaratish uchun kremniy interposerini, qayta taqsimlash qatlami interposerini yoki mahalliy kremniy interkonnektni ishlatadi. Ushbu qisqa ulanishlar kengroq xotira interfeyslarini, past aloqa kechikishini va past interkonnekt quvvat iste'molini qo'llab-quvvatlaydi.

Interkonnekt tuzilishi paket substratiga pastga ulanadi. Substrat quvvat va zaminni taqsimlaydi, tashqi kirish va chiqish signallarini olib o'tadi va to'liq CoWoS yig'ilishini tizim PCB'siga ulaydi.

Asosiy protsessor va xotira o'rtasidagi ma'lumotlar yo'li:

HBM ↔ interposer, RDL, yoki LSI ↔ mantiqiy die

Paket-sistem ulanganligi alohida yo'lni kuzatadi:

Mantiqiy die va interkonnekt tuzilishi → paket substrati → PCB

Mantiqiy die'lar, HBM va Paket substrati qanday ulanishgan

Mantiqiy die asosiy hisoblash ishini bajaradi, HBM stacklari esa yuzlab yaqin joylashgan signal ulanishlari orqali yuqori quvvatli xotirani taqdim etadi. CoWoS arxitekturasiga qarab, ular o'rtasidagi aloqa to'liq kremniy interposer, katta RDL interposer yoki faqat juda zich routlash talab etilganda joylashgan mahalliy kremniy interkonnektlar orqali amalga oshiriladi.

Paket substrati CoWoS paketini PCB ga ulaydi va quvvat, zamin, boshqaruv signallari va tashqi I/O ni olib o'tadi.

Paket Element	Asosiy Funktsiya	Asosiy CoWoS foydalanishi
Mantiqiy die	AI, HPC, tarmoq yoki umumiy hisoblashni bajaradi	Barcha CoWoS arxitekturasi
HBM to'plami	Protsessorga yaqin yuqori quvvat va yuqori kenglikka ega xotirani taqdim etadi	AI va HPC paketlari
Silikon interposer	Keng faol maydon bo'ylab zich yo'nalish taqdim etadi	Asosan CoWoS-S
RDL interposer	To'liq silikon interposersiz keng maydonli signal va quvvat yo'nalishini taqdim etadi	CoWoS-R va CoWoS-L
Mahalliy silikon interkonnekt	Tanlangan zich interfeysda silikon darajasidagi yo'nalishni taqdim etadi	CoWoS-L
Paket substrati	CoWoS yig'ilishini tizim quvvati, yer, I/O va PCB ga ulaydi	Barcha CoWoS arxitekturasi

Ne uchun CoWoS AI, HPC va HBM uchun ishlatiladi?

Rasm 2. Bir nechta HBM to'plari bilan AI protsessor

AI tezlashtiruvchilari va HPC protsessorlari katta hajmdagi ma'lumotlarni hisoblash die'lari va xotira o'rtasida olib o'tishlari kerak. HBM bu kenglikni juda keng interfeys orqali taqdim etadi, ammo u minglab yaqin joylashgan ulanishlarni talab qiladi. CoWoS HBM to'plarini mantiqiy die yoniga joylashtiradi va ushbu ulanishlarni qisqa tutish uchun zich paket darajasidagi yo'nalishdan foydalanadi.

Ushbu tartib signal kechikishini, interkonnekt quvvat yo'qotishini va protsessor va xotira alohida paketlarda joylashtirilganda yuzaga keladigan yo'nalish qiyinchiliklarini kamaytirishga yordam beradi. Bu shuningdek, bir nechta HBM to'plarining parallel ravishda ishlashiga imkon beradi, protsessorga an'anaviy tashqi xotira ulanishlariga qaraganda ancha yuqori xotira kengligini taqdim etib.

CoWoS, dizayn katta mantiqiy die'lar, bir nechta chipletlar yoki bir nechta HBM to'plarini o'z ichiga olganda ham foydalidir. An'anaviy paket ushbu komponentlar uchun etarli yo'nalish zichligi yoki foydalanish mumkin bo'lgan paket maydoni taqdim etmasligi mumkin. CoWoS die'lar o'rtasidagi nozik ulanishlarni saqlagan holda katta integratsiya platformasini yaratadi.

Amaliy tizimlarda, CoWoS protsessor juda yuqori xotira kengligini, hisoblash die'siga yaqin bir nechta HBM to'plarini, qisqa va keng die-to-die ulanishlarini, katta die'lar yoki bir nechta chipletlarni qo'llab-quvvatlashni va paketlararo yo'nalishdan kamroq interkonnekt quvvatini talab qilganda tanlanadi.

Asosiy foyda - bu oddiygina bir paketda ko'proq chiplarga joylashishni ta'minlash emas. CoWoS zich interkonnekt tuzilmasini taqdim etadi, bu kuchli AI va HPC protsessorlarini doimiy ravishda ma'lumotlar bilan ta'minlash uchun zarur.

CoWoS-S vs. CoWoS-R vs. CoWoS-L

Rasm 3. CoWoS-S vs CoWoS-R vs CoWoS-L

CoWoS-S, CoWoS-R va CoWoS-L mantiqiy die'larni, HBM to'plarini va paket substratini ulash uchun turli xil interkonnekt tuzilmalaridan foydalanadi. Asosiy farq qanchalik silikon ishlatilishida va eng yuqori yo'nalish zichligi qayerda joylashganidir.

Taqqoslash faktori	CoWoS-S	CoWoS-R	CoWoS-L
Asosiy interkonnekt tuzilmasi	Katta silikon interposer	Ko'p qatlamli RDL interposer	Mahalliy silikon ko'priklari bilan RDL interposer
Yo'nalish zichligi	Keng faol maydon bo'ylab juda yuqori	Silikondan pastroq, ammo keng paket darajasidagi yo'nalishga mos	Tanlangan interfeyslarda juda yuqori
Silikonning ishlatilishi	Faol die'lar ostida katta silikon maydonini ishlatadi	To'liq silikon interposer talab qilmaydi	Faqat nozik-pitch yo'nalishi kerak bo'lgan joylarda silikon ishlatadi
TSV ishlatilishi	TSV'lar silikon interposer orqali vertikal ulanishlarni taqdim etadi	Katta TSV asosidagi interposerga tayanmaydi	Mahalliy silikon interkonnekt tuzilmalar bilan RDL yo'nalishidan foydalanadi
Paket o'lchami	Katta interposer ishlab chiqarish murakkabligi, o'lchami va hosilni kamaytirish bilan cheklangan	Katta RDL asosidagi paket maydonlarini qo'llab-quvvatlaydi	Katta paketlarni qo'llab-quvvatlaydi, shu bilan birga zich mahalliy interfeyslarni saqlaydi
Mexanik xulq-atvor	Diqqatli stress va deformatsiya nazoratini talab qiladigan ko'proq qattiq silikon tuzilishi	Ko'proq moslashuvchan polymer-RDL tuzilishi	RDL moslashuvchanligini mahalliy silikon hududlari bilan birlashtiradi
Asosiy afzallik	Keng silikon darajasi yo'nalish zichligini taqdim etadi	Kamroq silikon bilan katta maydonli yo'nalishni taqdim etadi	Katta paket o'lchamini yuqori mahalliy yo'nalish zichligi bilan balanslaydi
Asosiy cheklov	Yuqori xarajat, silikon maydoni, ishlab chiqarish murakkabligi va hosil xavfi	Silikon interposerlaridan pastroq yo'nalish zichligi	RDL va mahalliy silikon interkonnektlarning qo'shilishi ko'proq murakkab
Eng mos keladigan	Keng paket maydoni bo'ylab zich mantiqdan HBM ga yo'nalish	RDL yo'nalish zichligi yetarli bo'lgan katta paketlar	Katta AI va HPC paketlari faqat tanlangan interfeyslarda zich marshrutlashni talab qiladi

CoWoS-S

CoWoS-S mantiqiy dies va HBM to'plari ostida kremniy interposeridan foydalanadi. Interposer ichidagi nozik metall qatlamlar dies o'rtasida gorizontal bog'lanishlarni ta'minlaydi.

TSVlar vertikal ravishda kremniy interposeridan o'tib, uning yuqori qismidagi marshrutlashni ostidagi bump'lar bilan bog'laydi. Ushbu vertikal yo'llar kuch, yer va tashqi signalni paket substratiga olib boradi.

Interposer kremniydan tayyorlanganligi sababli, u polimer asosidagi RDL tuzilmasiga qaraganda nozik simlarni qo'llab-quvvatlay oladi. Asosiy muammo shundaki, katta interposer ko'proq kremniy maydonini talab qiladi va ishlab chiqarish kamchiliklariga katta yuzani ochadi. Shuning uchun interposer o'lchami xarajat, hosil va paketning burilishga ta'sir ko'rsatishi mumkin.

CoWoS-R

CoWoS-R to'liq kremniy interposerini ko'p qatlamli RDL tuzilmasi bilan almashtiradi. Oltin izlari paket bo'ylab signal, quvvat va yerni o'tkazish uchun polimer dielectrik qatlamlar o'rtasida naqshlangan.

RDL marshrutlash katta kremniy plitasi orqali TSV'larni talab qilmaydi. Vertikal bog'lanishlar RDL qatlamlari o'rtasida va dies va paket substratiga bog'lanishlar orqali hosil qilinadi.

Ushbu tuzilma interkonnekt maydonini juda katta kremniy interposerini ishlab chiqarishsiz kengaytirishga imkon beradi. Biroq, RDL chiziq kengligi, bo'shliqi va via o'lchamlari odatda kremniydagi mavjud o'lchamlardan kattaroq bo'lib, shuning uchun u eng talabchan interfeyslarda bir xil marshrutlash zichligini ta'minlay olmaydi.

CoWoS-L

CoWoS-L keng RDL marshrutlashni Mahalliy Kremniy Interkonnektlari, yoki LSIlar bilan birlashtiradi. RDL qatlamlari katta paket bo'ylab bog'lanishlarni bajaradi, kichik kremniy hududlari esa nozik simlarni talab qiladigan interfeyslarga yaqin joylashtiriladi.

LSI to'liq interposer emas, balki lokalizatsiyalangan kremniy ko'prigi sifatida ishlaydi. U yaqin dieslarni qisqa, nozik metall izlari orqali bog'laydi. Bu undan foydalanishga qulaylik beradi, chunki bu zich lojiqdan HBM yoki die-to-die interfeyslarga ega bo'ladi, bu esa butun to'plam ostida katta kremniy qatlamini qo'yishdan qochadi.

RDL va LSI tuzilmalarini ishlab chiqarish vaqtida to'g'ri joylashtirilishi va bog'lanishi kerak. Bu faqat kremniy interposeridan yoki faqat RDL'dan foydalanish bilan solishtirganda qo'shimcha integratsiya qadamlarini yaratadi.

Tanlov HBM soni, die joylashuvi, interfeys qism, paket maydoni, quvvat ta'minoti, sovutish, burilish, xarajat va ishlab chiqarish hosiliga bog'liq.

CoWoS-S keng maydonda zich kremniy marshrutlashni talab qiladigan dizaynlar uchun mos keladi. CoWoS-R katta paket RDL darajasidagi marshrutlash zichligi bilan ishlashi mumkin bo'lganda ko'proq mos keladi. CoWoS-L esa paketning ko'p qismi RDLga tayanadigan joylarda, lekin tanlangan interfeyslarda nozik kremniy darajasida bog'lanishlarni talab qilganda ishlatiladi.

CoWoS Qadoqlash Qanday Ishlab Chiqiladi

Rasm 4. CoWoS Ishlab Chiqarish Jarayoni

CoWoS ishlab chiqarish paket interkonnektini qurish, yaxshi dieslarni tanlash, mantiqiy dies va HBMni joylashtirish va bog'lash, mexanik va elektr bog'lanishlarni yakunlash va tugallangan paketni sinovdan o'tkazishni o'z ichiga oladi. Aniq ishlab chiqarish tafsilotlari CoWoS arxitekturasiga qarab farq qiladi, ammo umumiy yig'ish tartibi qisman o'xshashdir.

Ishlab chiqarish Bosqichi	Nima Bo'ladi
Interkonnekt ishlab chiqarish	Kremniy interposeri, RDL tuzilmasi yoki RDL-va-LSI tuzilmasi zarur signal, quvvat va yer marshrutlash bilan ishlab chiqariladi. Paket dizayni talablariga muvofiq vertikal bog'lanishlar va o'rnatilgan tuzilmalar ham hosil qilinadi.
Yaxshi-die testi	Mantiqiy dies, HBM to'plari va chipletlar yig'ilishdan oldin elektr jihatdan sinovdan o'tkaziladi. Vaqti-vaqti bilan nuqsonli dieslarni bog'lashdan oldin sinovdan o'tkazish muhimdir, chunki bir muloqotni rad etish tugallangan ko'p-die paketining hosilini kamaytirishi mumkin.
Die joylashuvi	Mantiqiy dies, HBM to'plari va boshqa chipletlar mo'ljallangan bog'lanish maydonlari ustida yuqori joylashtirish aniqligi bilan joylashtiriladi. Joylashtirish bump qismi kamayganda va dies soni oshganda ko'proq talabchan bo'ladi.
Die bog'lash	Dies tayyorlangan interkonnekt tuzilmaga mikro-bump yoki boshqa nozik bog'lanishlar orqali bog'lanadi. Bog'lanish sifati, joylashtirish, kontakt qarshiligi va birlashma yaxlitligini diqqat bilan nazorat qilish kerak.
Pastki to'ldirish va qadoqlash	Pastki to'ldirish nozik bog'lanishlar atrofida qo'llaniladi, bog'lanishlarni qo'llab-quvvatlash va mexanik bosimni kamaytirish uchun. Paket tuzilmasiga qarab, yig'ilishni himoya qilish va integratsiyalash uchun qadoqlash materiallari ishlatilishi mumkin.
Substratga ulanish	Tugallangan die-va-interkonnekt yig'ilishi paket substratiga bog'lanadi, odatda C4 bump kabi katta bog'lanishlar orqali. Substrat quvvat, yer va tashqi I/O ni tizimning PCB'siga olib boradi.
Mexanik va termal yakunlash	Qattiq komponentlar, qopqoq, issiqlik tarqatuvchilar, termal interfeys materiallari va boshqa strukturaviy komponentlar zarurat tug'ilganda qo'shiladi. Katta paket bo'ylab burilishga, mexanik stressga va issiqlik kontaktiga nazorat qilish zarur.
Yakuniy elektr sinovlari	To'liq paket mantiqiy operatsiyalar, HBM muloqoti, interkonnekt uzluksizligi, quvvat ta'minoti, tashqi I/O va boshqa elektr funksiyalar uchun sinovdan o'tkaziladi.
Ishonchlilik sinovlari	Paketlar payvandlash tugunlarini, interkonnektlarni, burilishni va uzoq muddatli ishonchlilikni tekshirish uchun issiqlik siklidan, tempereatura sinovidan, mexanik stress baholashdan va boshqa malaka tizimlaridan o'tishi mumkin.

Asosiy ishlab chiqarish ketma-ketligi:

Interkonnekt ishlab chiqarish → yaxshi olingan dies sinovi → die joylashtirish → die bog'lash → pastki to'ldirish yoki qoliplash → substrat ulanishi → mexanik va issiqlik ishlov berish → yakuniy sinov.

CoWoS Foydalari va Texnik Muammolari

CoWoS mantiqiy dies, HBM va chipletlar o'rtasida yuqori interkonnekt zichligini ta'minlaydi. Uning qisqa, nozik piksellari keng ma'lumot yo'llarini hamda yuqori xotira kengligini qo'llab-quvvatlaydi. Shuningdek, turli ishlab chiqarish texnologiyalari bilan tayyorlangan hisoblash, xotira va I/O dieslarini bir paketga birlashtirishga imkon beradi.

Asosiy muvozanat yig'ish murakkabligidir. paket o'lchami, die soni, va HBM soni oshgani sari ishlab chiqarish narxi, daromad xavfi, va ishlab chiqarish qiyinlishuvi ham oshadi.

Issiqlik ishlashi kesish temperaturasi, issiqlik dog'lari, issiqlik qarshiligi va mantiqiy dieslar va HBM bo'ylab temperatura taqsimoti orqali baholanadi. Notekis isitish paketning burilishini oshirishi mumkin, chunki kremniy, mis, qolip qurilmalari va substrat materiallari turlicha kengayadi.

Quvvat yaxlitligi PDN qarshiligi, IR pasayishi, voltaj tushishi, ortga qaytish va ta'minot shovqini orqali baholanadi. Bump'larda, via'larda, RDL'larda, interposer kabelida va substrat ulanishlarida qarshilik va indaktsiya temir yo'l barqarorligiga ta'sir qilishi mumkin. Mahalliy decoupling va ichki chuqur trancha kondensatorlari yoki DTC'lar mantiqiy die yaqinida zaryadni ta'minlaydi va tezkor oqim o'zgarishlarida quvvat ta'minoti qarshiligini kamaytiradi.

Signal yaxlitligi TSV'larning, RDL izlarining, mikro-bump'larning va paket yo'nalishlarining qarshiligi, capacitance va induktivligiga bog'liq. Bu qo'shilish yo'qotilishi, qaytish yo'qotilishi, passiv shovqin, ko'z ochish, jitter va vaqt marjasi orqali baholanadi.

Ishonchlilik issiq sikli, burilishni o'lchash, bump keskinligini, interkonnekt uzluksizligini va nosozlikni tekshirish orqali baholanadi. Takroriy isitish va sovutish mikro-bump'lar va C4 tugunlarini stressga duchor qiladi, bu esa payvand yorilishi, yirtilishi yoki ajralishga olib kelishi mumkin.

CoWoS Ilovalari va Chip Misollari

CoWoS asosan AI tezlatgichlarida, HPC protsessorlarida, tarmoq ASIClarida va HBM yoki zich multi-die integratsiyasini talab qiladigan chipletga asoslangan qurilmalarda ishlatiladi.

CoWoS dan foydalanadigan Chips va ASIC misollari

• NVIDIA Hopper: NVIDIA'ning Hopper ma'lumot markazidagi GPU'lari, H100 sinfidagi tezlatgichlar kiritilgan holda, AI va HPC ish yuklari uchun katta GPU bilan HBM ni birlashtiradi. 2025 yil yanvarida NVIDIA CEO'si Jensen Huang Hopper ishlab chiqarishining CoWoS-S dan foydalanishini tasdiqladi.

NVIDIA Blackwell: Blackwell bir necha katta hisoblash dieslarini HBM bilan birgalikda ishlatish orqali paketning murakkabligini oshiradi. Huang shuni ta'kidladi: NVIDIA Hopperdan Blackwellga ko'chish jarayonida asosan CoWoS-L dan foydalanadi. Arxitektura katta maydonli RDL yo'nalishini zich mahalliy kremniy interkonnektlari bilan birga ishlatadi.

• AMD Instinct MI300: AMD'ning MI300 oilasi bir necha hisoblash va I/O chipletlarini sakkiz HBM stakanlari bilan birlashtiradi. Paket TSMC SoIC ni vertikal chip to'plamini tayyorlash uchun ishlatadi, shuningdek, CoWoS bilan katta paket darajasidagi integratsiyani amalga oshiradi. Bu 3D to'plam va 2.5D qadoqlashni bir xil protsessorda birlashtirish imkoniyatini ko'rsatadi.

• Broadcom 5 nm Ma'lumot Markazi ASIC: Broadcom 625 mm² 5 nm ASIC ni HBM2E, 112 Gbps SerDes va yuqori kenglikdagi die-to-die interfeyslarini o'z ichiga olgan TSMC CoWoS interposer texnologiyasidan foydalangan holda e'lon qildi. Platforma ma'lumot markazlari, AI, HPC va 5G infratuzilmasi uchun ishlab chiqilgan.

Ushbu misollar CoWoS ning AI GPU'laridan qoldiq bo'lib qolmasligini ko'rsatadi. Shuningdek, bu HPC tezlagichlarini, moslashtirilgan AI ASIClarini, tarmoq qurilmalarini va HBM va zich paket darajasidagi integratsiyani talab qiladigan chipletga asoslangan protsessorlarni ham qo'llab-quvvatlaydi.

CoWoS Boshqa Zamonaviy Qadoqlash Texnologiyalari Bilan Taqqoslash

CoWoS mantiq dieslarini, HBM va chipletlarni ulash uchun ishlatiladigan bir necha zamonaviy qadoqlash texnologiyalaridan biridir. CoWoS kremniy-interposer, RDL va gibrid RDL/mahalliy kremniy strukturalarini qo'llab-quvvatlaydi. Boshqa qadoqlash texnologiyalari yuqori zichlikdagi die-to-die ulanishlarini ta'minlash uchun turlicha yondashuvlardan foydalanadi.

CoWoS va Intel EMIB

Intel EMIB paket substratida katta interposerga tayanish o'rniga, qadoqlash substratida joylashgan kichik kremniy ko‘priklaridan foydalangan. Ushbu ko‘priklar, yuqori keng tasvirli aloqa talab qilinadigan die chekkalarida faqat nozik pitch ulanishlarini ta'minlaydi.

EMIB mantiqiy va HBM interfeyslarini bog'lashi mumkin, shu bilan birga qadoqlash darajasida ishlatiladigan kremniy miqdorini kamaytiradi. Intel shuningdek, TSValarni konkret ko‘prik bilan qo‘shish orqali vertikal signal va quvvat ulanishlarini oshiradigan EMIB-T ni taklif qiladi.

Asosiy farq yo'nalish qamrovi. CoWoS katta qadoqlash maydoni bo'ylab yuqori zichlikdagi yo'nalishni ta'minlashi mumkin, EMIB esa tanlangan die interfeyslarida kremniy darajasidagi ulanishlarga e'tibor qaratadi.

CoWoS vs TSMC InFO

TSMC InFO fan-out qadoqlash strukturasida yuqori zichlikdagi qayta taqsimlash qatlamlarini ishlatadi. InFO-oS bir nechta mantiqiy dies yoki chipletlarni RDL strukturasi ustiga joylashtiradi va keyin yig‘ilmani qadoqlash substratiga ulaydi, bu esa an'anaviy katta kremniy interposerisiz ko‘p die integratsiyasiga imkon beradi.

CoWoS bilan solishtirganda, InFO turli xil qadoqlash turlarida ko'proq ishlatiladi, bu erda shakl omili, integratsiya zichligi va xarajatlar samaradorligi muhimdir. CoWoS ko'proq bir nechta HBM to‘plangan yuqori samarali mantiqni integratsiya qiladigan katta AI va HPC qadoqlariga kuchli bog'liq.

CoWoS vs Samsung Cube

Samsungning Cube oilasi ham kremniy interposerlarining turli kombinatsiyalarini, RDL va joylashtirilgan kremniy strukturalarini ishlatadi.

•2.5D Cube-S mantiqiy dies va HBM ni kremniy interposerida joylashtiradi. Samsung o'zining sifatli Cube-S platformasi 3.3× kremniy interposerini ilg‘or mantiq bilan va o‘nga yaqin HBM modullari bilan qo‘llab-quvvatlaydi, deb ta'kidladi.

•2.3D Cube-E joylashtirilgan kremniy ko‘priklari bilan TSV-siz RDL interposeridan foydalanadi. RDL kengroq qadoqlash yo'nalishini boshqaradi, kremniy ko‘priklari tanlangan interfeyslarda nozik ulanishlarni ta'minlaydi.

•2.3D Cube-R to'liq kremniy interposerisiz RDL asosidagi interposer ishlatadi, bu esa qayta taqsimlash-qatlam yo'nalishlari orqali katta ko'p die integratsiyasiga imkon beradi.

Cube va CoWoS o'rtasidagi asosiy o'xshashlik shundaki, ikkala oilada ham kremniy darajasidagi yo'nalish zichligini katta maydondagi RDL integratsiyasi bilan muvozanatlash uchun bir nechta usullar mavjud, garchi ularning qadoqlash strukturalari va ishlab chiqarish jarayonlari farq qiladi.

CoWoS vs TSMC SoIC

SoIC asosan 3D chipni stacked qilish texnologiyasidir, CoWoS esa asosan 2.5D qadoqlash darajasida integratsiyani ta'minlaydi. SoIC diesni vertikal ravishda juda nozik die-to-die bog'lanishi orqali ulaydi, ba'zi izohlar asosida bog‘lanish pitchlari 10 µm dan past.

Shu sababli, ikki texnologiya ko'p dizaynlarda to'g'ridan-to'g'ri alternativlar emas, balki bir-birini to'ldiruvchi hisoblanadi. Mantiq die'lari dastlab SoIC yordamida vertikal ravishda stacked qilinishi mumkin va keyin HBM yoki qo'shimcha chipletlar bilan birga katta CoWoS qadoqlashiga integratsiya qilinadi. TSMC bu kombinatsiyani o'zining kengroq 3DFabric integratsiya platformasiga kiritadi.

Umuman olganda, ushbu texnologiyalar orasidagi asosiy farq eng yuqori zichlikdagi interkonnekt qayerda joylashtirilganligida: katta interposerdan, lokalizatsiyalangan kremniy ko‘priklarida, fan-out RDL ichida yoki stacked dies orasida vertikal ravishda.

CoWoS yo'l xaritasi: Katta qadoqlar, HBM4 va o'lchov muammolari

CoWoS yo'l xaritasi katta interposer maydonlarini, ko'proq hisoblash dieslari, qo'shimcha HBM to‘plarini va yangi quvvat yetkazib berish texnologiyalarini o'z ichiga oladi. Biroq, yo'l xaritasi e'lonlari malakali yoki allaqachon ommaviy ishlab chiqarishda bo'lgan texnologiyalardan ajratilishi kerak. Qadoqlash o'lchami, HBM soni va ishlab chiqarish vaqtini nashrdan oldin eng yangi TSMC materiallari bilan tekshirilishi zarur.

Yo'l xaritasi elementi	2026 yil avgust holatidagi jamoat holati
3.5-reticle CoWoS-L	2024 yildan beri ommaviy ishlab chiqarishda
5.5-reticle CoWoS	TSMC 2026 yil aprel oyida bu o'lchamni ishlab chiqarayotganini bildirgan. Oldingi yillik hisobot materiallari 2026 yilda 5.5-reticle CoWoS-L malakasini va ishlab chiqarishni o'sishini tasvirlagan
9.5-reticle CoWoS	2027 yilda ommaviy ishlab chiqarish uchun e'lon qilingan reja, 12 yoki undan ortiq HBM to‘plari bilan
14-reticle CoWoS	2028 yil uchun e'lon qilingan yo'l xaritasi maqsadi, taxminan 10 ta katta hisoblash diesi va 20 ta HBM to'plarini birlashtirishi ta'riflangan
14 dan ortiq retikullar	2029 yil uchun uzoq muddatli kengayish maqsadi

Katta CoWoS Qadoqlash Maydonlari

TSMC 3.5-reticle CoWoS-L 2024 yildan beri ommaviy ishlab chiqarishda bo'lganini bayon qiladi. 2026 yil aprel oyida kompaniya 5.5-reticle o'lchamdagi CoWoS ishlab chiqarayotganini va kattaroq versiyalarini rejalashtirayotganini aytgan. TSMC ning oldingi 2025 yilgi Yillik Hisobotida 5.5-reticle CoWoS-L ni 2026 yilda malaka berilganligini ta'kidlab, yana bir qismda sertifikatlash jarayoni tugaganligini va ommaviy ishlab chiqarish 2026 yilda boshlanishi haqida ma'lumot berilgan. Ushbu bayonotlar turli platforma, malaka yoki mijoz-m mahsulot bosqichlariga ishora qilishi mumkin, shuning uchun ularning asl so'zlari saqlanishi kerak, universal tayyorlik sifatida talqin qilinmasligi kerak.

TSMC 2025-yilda 9.5-retikelli CoWoS ni 2027-yilda massaviy ishlab chiqarishga olib kelishni rejalashtirganini e'lon qildi, 12 yoki undan ortiq HBM to'plari uchun quvvat bilan. 2026-yil aprelida bo'lib o'tgan simpozium materiallari 14-retikelli yo'l xaritasini maqsad qilib qo'shgan bo'lib, bu taxminan 10 ta katta hisoblash dies va 20 ta HBM to'plarini birlashtirishni ta'riflagan, ishlab chiqarish 2028-yilga mo'ljallangan va 2029-yilda 14 retikeldan oshgan kengaytirish muhokama qilingan. 9.5-retikelli va 14-retikelli konfiguratsiyalar e'lon qilingan rejalarda yoki yo'l xaritasi maqsadlarida qolmoqda, hozirgi ishlab chiqarishni tasdiqlamaydi.

HBM4 va Logika Asosiy Dies

HBM4 xotira to'plamidan ko'proq narsani o'zgartiradi. Uning logika asosiy die interfeys, nazorat va signal funksiyalarini boshqarishi mumkin, bu esa xotira texnologiyasini, asosiy die jarayonini, interposer yo'nalishini va hisoblash die ni yaqinroq bog'laydi.

TSMC HBM4 uchun N12 va N3 logika asosiy die yechimlarini ochiq ravishda aniqladi. Keyinchalik bo'lib o'tgan texnik muhokamada, HBM4 dizaynlari uchun N12 va moslashtirilgan HBM4E dizaynlari uchun N3P ni ta'riflagan. Ushbu bayonotlar TSMC ni rejalangan texnologiya qo'llab-quvvatlashi haqida ma'lum qiladi, ammo ular har bir HBM4 va CoWoS kombinatsiyasi mijozlar tasdiqiga erishgan yoki ishlab chiqarishga kirganini tasdiqlamaydi.

Quvvat Ta'minoti va Sovutish Cheklovlari

Paket maydonini oshirish ko'proq logika va xotirani integratsiyalash imkonini beradi, ammo bu shuningdek, joriy talab, vaqtinchalik yuk, issiqlik zichligi va quvvat taqsimoti qiyinchiliklarini oshiradi. TSMC quvvat ta'minoti va issiqlik tarqalishini davom etayotgan AI miqyosi uchun asosiy cheklovlar sifatida aniqladi.

Kompaniya mahalliy yukni etkazib berishni yaxshilash va quvvat taqsimoti impedansini kamaytirish usuli sifatida o'rnatilgan chuqur xandaq kondensatorlari, yuqori zichlikka ega MIM kondensatorlari va integratsiyalashgan kuchlanish regulatorlarini taqdim etdi. TSMC shuningdek, issiqlik dizayn quvvatini 2 kW gacha bo'lgan paketlar uchun yaxshilangan issiqlik interfeysi materiallari va suyuq sovutish namoyishlari yordamida olib borilgan CoWoS tadqiqotlarini e'lon qildi. Bu nashr qilingan texnologiyalar va namoyishlardir, har bir tijorat CoWoS paketi uchun kafolatlangan spetsifikatsiyalar emas.

Olingan, Substrat va HBM Ta'minoti Cheklovlari

Katta CoWoS paketi logika dies, HBM to'plari, interposer yoki RDL tuzilishi, mahalliy kremniy o'zaro bog'lanishlar, paket substrati, ko'ndalang to'siqlar, quyish va yig'ish jarayonlarini birgalikda yetkazib berish va ishonchlilik talablarida muvofiqlikni ta'minlashi kerak. Paket maydonining oshishi interfeyslar va ishlab chiqarish bosqichlarining sonini oshiradi, bu esa nazorat qilinishi kerak.

2026-yil iyul oyidagi daromad chaqiruvida TSMC orqa tomondagi quvvat etishmasligi holatida qolganini aytdi. Shuningdek, bu substrat yetkazib beruvchilar bilan ishlashni muhokama qildi, muqobil paketlash usullarini ishlab chiqish jarayonida. Bu ishlab chiqarishni miqyosida rivojlanish quvvat ta'minotochlarining to'liq ta'minot zanjiriga bog'liq ekanligini ko'rsatadi, nafaqat CoWoS yig'ish quvvatiga.

HBM ta'minoti va mahsulot tasdiqlanishi qo'shimcha cheklovlarni yaratishi mumkin, chunki har bir tezlatgich dizayni mos xotira to'plarini, logika asosiy dieslarni, yo'nalishlarni, quvvat etkazib berish va issiqlik cheklovlarini talab qiladi. Ochiq HBM hisoblangan maqsad shuning uchun potentsial paket integratsiyasini ta'riflaydi, kafolatlangan mahsulot mavjudligini emas.

CoWoS yo'l xaritasi rivoji muvaffaqiyatli texnologiya va mijozlarni tasdiqlanishi, ishlab chiqarish yig'dimi, substrat mavjudligi, HBM ta'minoti, quvvat ta'minoti, sovutish, deformatsiya nazorati va uzoq muddatli ishonchlilikka bog'liq, nafaqat paket o'lchamiga.